[工艺] ThinFilm Process的经典讲解

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8547 16 296966066 发表于 2015-6-26 06:07:31

ThinFilm(薄膜)主要包含CVD和PVD,CVD(Chemical Vapor Deposition)主要依靠反应气体在等离子体电离能量下,化学分解反应,主要用语后端温度比较低(~400,450C)。而PVD(Physical Vapor Deposition)主要是用来金属沉积,因为很少有金属的气态化合物分解产生单质金属,除了MOCVD的钨(W)和Damascene的铜(Cu)制程。主要依靠直流溅射顶部的金属靶材是的金属原子撞击落下。

CVD的几个重要参数(下corner 90度,上corner 270度,表面180度,所以沉积速率不一样导致):

1、侧壁Step Coverage: 底部最薄处除以顶部厚度比值 (b/a)

2、底部Step Coverage: 底部最薄处除以顶部厚度比值(d/a)

3、保角性(Conformity): 底部厚度除以上corner厚度 (b/c)

4、肩膀突出(Overhang): 上肩膀厚度减去底部侧壁厚度之差除以底部厚度(c-b)/b

5、纵宽比(Aspect Ratio):金属高度除以space(h/w),用于衡量gap fill能力。

6、D/S ratio (deposition/Sputter) : 常用于HDP的制程,因为通常的CVD在上口先封口,所以会产生空洞,必须在沉积过程中有plasma轰击是的上口的封口打开。

各种film的summary:

这里面还没有包含Low-K物质,FSG的介电常数~2.7,在0.18um以下制程会降低金属互连的电容,减小R*C delay。


摘自芯苑


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coming 发表于 2015-8-13 09:00:24
者有这么点内容?有没有文件下载?
duogeming 发表于 2016-5-20 19:12:47
专业人士啊
dasheng1028 发表于 2016-6-28 20:30:58
有没有详细资料,求
水下鱼1 发表于 2016-11-15 17:21:50
太专业了,好文章!
laughingsir 发表于 2016-12-31 21:59:30

太专业了,好文章!
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